[发明专利]一种基于有限元分析的GIS绝缘子缺陷电场仿真方法在审
| 申请号： | 202110580900.8 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113325280A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 杨鼎革;韩彦华;尚宇;牛博;刘强;高健;李泉浩;孙浩飞;吴经锋;丁彬;陈予伦;李文慧;袁福祥;李良书;万康鸿;张冠军;王辰曦;唐露甜 | 申请（专利权）人： | 国网陕西省电力公司电力科学研究院;西安交通大学;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;G06F30/23 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710054 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于有限元分析的GIS绝缘子缺陷电场仿真方法，包括以下步骤：构建绝缘子模型和GIS腔体模型，在所述绝缘子模型上构建绝缘子缺陷模型；对绝缘子模型和绝缘子缺陷模型进行参数设置并进行网格划分；在不同电压梯度下，调整绝缘子缺陷模型的类型、形状及位置，通过所述有限元分析软件进行仿真计算，获得绝缘子缺陷模型处的电场分布；对获得的电场分布进行采样获得电场最大值，将所述电场最大值与预设的环氧树脂击穿电场比较；其中，如果所述电场最大值较大，则对应绝缘子缺陷模型处发生局部放电。本发明能够解决现有技术存在的对于GIS绝缘缺陷局部放电产生原因判据不足以及对以往经验过于依赖的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 有限元分析 gis 绝缘子 缺陷 电场 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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