[发明专利]新型硼磷共掺p型金刚石半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110581441.5 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113046721A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李辉;刘胜;申胜男;邹迪玮;沈威 | 申请（专利权）人： | 武汉大学深圳研究院 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/511;C23C16/52 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 肖明洲 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型硼磷共掺P型金刚石半导体材料及其制备方法。该种材料是硼、磷原子替代金刚石结构中碳原子而形成的一种硼‑硼‑磷掺杂结构的新型硼磷共掺P型金刚石半导体材料。其是在利用MPCVD设备制备人造金刚石的过程中，引入硼磷掺杂剂、氢气与甲烷等气体进入MPCVD腔室，同时控制腔室温度、气压与微波功率等参数。所述新型硼磷共掺金刚石半导体材料的受主能级为0.27 eV，对提高P型金刚石半导体电学性能有重要意义，扩大P型金刚石半导体材料在室温下半导体电子器件中的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 硼磷共掺 金刚石 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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