[发明专利]SiC单晶生长装置及液相外延SiC单晶生长方法有效
| 申请号： | 202110581689.1 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113322510B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 胡章贵;王佳楠 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 | 代理人： | 张宏 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC单晶生长装置及液相外延SiC单晶生长方法，所述的SiC单晶生长装置，高温感应加热炉的炉体的顶部和底部对应地同轴设置有可相对反向转动的籽晶轴和旋转轴，旋转轴第一端与石墨坩埚底部固定；石墨坩埚内部设置第一非碳坩埚，籽晶轴的第一端固定第二非碳坩埚。第一非碳坩埚内自下而上分别容置SiC晶锭和作为助溶剂的Fe粉；第二非碳坩埚内容置SiC籽晶；高温感应加热炉升温，升温到800~1000℃时充氩气，而后使SiC在1500~1700℃的氩气氛围下生长；随着温度的升高，晶锭SiC溶解在熔融的Fe溶剂中形成Fe溶液，然后再通过Fe溶液传输到SiC籽晶上。本发明提供的SiC单晶生长装置可改善生长结构和热场分布，避免了结晶位置错移和坩埚碎裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | sic 生长 装置 外延 方法 | ||
【主权项】：
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