[发明专利]降低接触电阻的PERC电池的电路制作方法和电池在审
申请号: | 202110583445.7 | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN113270521A | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 杨二存;赵小平;时宝;逯承承;庞瑞卿;刘海泉;陈刚 | 申请(专利权)人: | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 300400 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种降低接触电阻的PERC电池的电路制作方法和电池。降低接触电阻的PERC电池的电路制作方法包括:对激光开膜后的硅片进行溅射处理,以在硅片的背面制成第一背场膜;对溅射后的硅片进行热处理;丝网印刷热处理后的硅片,以在硅片制成背电极、第二背场膜和正电极。本申请实施例的降低接触电阻的PERC电池的背电场制作方法,通过溅射制成第一背场膜,通过丝网印刷制成第二背场膜,来制成PERC电池的背电场,使得背电场膜层更加细腻、均匀、致密,缺陷空隙杂质较少,可以降低接触电阻,有利于形成良好的欧姆接触。 | ||
搜索关键词: | 降低 接触 电阻 perc 电池 电路 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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