[发明专利]氧化铝晶须掺杂的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种氧化铝晶须掺杂的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法，包括质量分数为77.55‑95.54wt％的复相陶瓷基料和4.46‑22.45wt％的掺杂剂，掺杂剂分散在所述复相陶瓷基料中，复相陶瓷基料包括Al2O3、TiO2、MgO、CaO，掺杂剂包括占陶瓷材料4‑20wt％的氧化铝晶须和0.46‑2.45wt％的调解电性能掺杂剂。通过在复相陶瓷基料中掺杂氧化铝晶须和调解电性能掺杂剂，氧化铝晶须具有较高的机械强度和较高的弹性模量，可极大地改善复相陶瓷的抗弯强度和抗热震性能，调解电性能掺杂剂能够改善低介微波介质陶瓷材料的电性能；且掺杂有氧化铝晶须的低介微波介质陶瓷材料具有良好的综合性能，可靠性更强，可满足介质谐振器与滤波器等微波元器件向小型化发展的要求，具有良好的应用前景。