[发明专利]光掩模结构在审
| 申请号： | 202110584768.8 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113608406A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 何熊武;徐伟国;白源吉;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种光掩模结构，包括一基板；一主动电路区域，位于所述基板上；至少一个目标图案，位于所述主动电路区域内；以及至少一虚设图案分布在所述基板上，以将所述光掩模结构的透射率保持在一预定范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 结构 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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