[发明专利]一种深紫外波段发光单片集成器件及制备方法

摘要

本发明提供一种深紫外波段发光单片集成器件，包括基于AlGaN材料的UVC LED单元组成的LED阵列，每个LED单元的n电极和p电极之间具有多量子阱层；在LED阵列中，第一类LED单元用于发光，第二类LED单元用于探测光；在第一类LED单元发光时，第二类LED单元产生的光电流与第一类LED单元的发光强度相对应，所述光电流用以反馈控制LED阵列的光输出强度和UVC辐射剂量。本发明还提供了上述深紫外波段发光单片集成器件的制备方法。本发明能够实时监测UVC LED光输出强度的变化，使UVC LED能够安全稳定地应用于日盲通信、医疗、航空航天等领域。