[发明专利]原位生长莫来石晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 202110586353.4 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113292344B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张景德;李子禾;常籽萱;韩桂芳 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 250061 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种原位生长莫来石晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，包括步骤：步骤一，将基体原料加入球磨罐中，再加入分散剂水溶液、球磨介质，进行一次磨球，再加入粘结剂溶液，继续二次球磨，得到浆料，其中，所述基体原料为碳化硅粉体、氢氧化铝粉体、金属氧化物粉体和氟化物粉体；步骤二，将步骤一得到的浆料干燥脱水，得到固体物；步骤三，将步骤二得到的固体物造粒，然后过筛；步骤四，将步骤三得到的筛下物利用模具干压成型，得到生坯；步骤五，将步骤四得到的生坯真空干燥；步骤六，将步骤五真空干燥后的生坯在1500℃‑1550℃下进行烧结，保温2h‑4h，其能得到具有原位生长莫来石晶须增强的碳化硅陶瓷基复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 生长 莫来石晶须 增强 碳化硅 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110586353.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数字化校园建设的表单数据统计分析系统
- 下一篇：一种分布式差分隐私聚合方法
