[发明专利]高强度莫来石结合碳化硅多孔陶瓷材料的制备方法在审
| 申请号： | 202110587302.3 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113277854A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 张景德;李子禾;常籽萱;韩桂芳 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C04B35/577 | 分类号： | C04B35/577;C04B35/622;C04B38/00 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 250061 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种高强度莫来石结合碳化硅多孔陶瓷材料的制备方法，包括步骤：步骤一，将基体原料加入球磨罐中，再加入分散剂水溶液、球磨介质，进行一次磨球，再加入粘结剂溶液，继续二次球磨，得到浆料；步骤二，将步骤一所得到的浆料倒入容器中，放入冷冻干燥器机进行干燥脱水，得到固体物；步骤三，将步骤二得到的粉体造粒，然后过筛；步骤四，将步骤三得到的筛下物利用模具干压成型，得到生坯；步骤五，将步骤四得到的生坯进行真空干燥；步骤六，将步骤五真空干燥后的生坯在空气气氛中进行常压烧结。所获得的高强度莫来石结合碳化硅多孔陶瓷材料不含方石英相、抗弯曲强度高。 | ||
| 搜索关键词： | 强度 莫来石 结合 碳化硅 多孔 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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