[发明专利]一种创新结构的毫米波CMOS数控衰减器有效
| 申请号： | 202110589094.0 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113114163B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李芹;仲响 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 孙建朋 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明设计了应用于毫米波频段的CMOS数控衰减器。为了同时实现大衰减范围和小衰减步进，该结构采用无源衰减与有源增益调节相结合的方法。无源部分提供大衰减量实现增益的粗调节，有源部分提供小衰减量实现增益的细调节。本衰减器的控制位为8位，无源部分2位实现24dB的衰减范围、有源部分6位实现7.5dB的衰减范围。衰减器总体可实现的增益调节范围为31.5dB，最小步进0.5dB。通过引入冗余态的方法，实现了大衰减范围的同时保证了高精度调谐。本发明所设计的毫米波频段衰减器具有衰减范围大、调节精度高，插入损耗小的特点。克服了传统有源衰减器衰减范围小，无源衰减器插损大的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 创新 结构 毫米波 cmos 数控 衰减器 | ||
【主权项】：
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