[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110589555.4 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113451315A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 徐国修;张峰铭;林建隆;王屏薇;洪连嵘;张瑞文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;G11C11/412 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构。半导体结构包括静态随机存取存储器单元，静态随机存取存储器单元包括第一和第二上拉(PU)晶体管、第一和第二下拉(PD)晶体管、第一和第二传输栅(PG)晶体管以及位元线(BL)导体。第一上拉和第一下拉晶体管形成第一反相器。第二上拉和第二下拉晶体管形成第二反相器。第一和第二反相器交叉耦合以形成两个储存节点，其通过第一和第二传输栅晶体管耦接至位元线导体。第一和第二上拉晶体管形成在半导体结构的正面上方的N型有源区上方。第一和第二下拉晶体管以及第一和第二传输栅晶体管形成在半导体结构的正面上方的P型有源区上方。位元线导体设置在半导体结构的背面上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
