[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 202110590681.1 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113764287A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 横山脩平;柴田祥吾;中村宏之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/495;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。本说明书所公开的技术是用于确保端子间的空间距离以及沿面距离，并且抑制半导体装置大型化的技术。与本说明书所公开的技术相关的半导体装置的制造方法是，设置至少1个半导体元件，向半导体元件连接多个第1端子和至少1个第2端子，该第2端子是被施加比第1端子低的电压的控制用端子，在第1端子形成第1弯折部，就相邻的多个第1端子而言，在彼此相对的面，第1弯折部不凸出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
