[发明专利]磁隧道结结构及集成方案在审
| 申请号： | 202110590770.6 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113764577A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张淑禧;陈福南;N·蒂亚加拉亚;孙永顺 | 申请（专利权）人： | 格芯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L43/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;牛南辉 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁隧道结结构及集成方案。提供了一种存储器器件，该存储器器件包括位于电介质层中的接触柱。可以在接触柱上方设置磁隧道结。可以在磁隧道结的侧壁上设置在电介质层的水平表面上方延伸的阻挡层。可以在阻挡层上方设置间隔物。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 结构 集成 方案 | ||
【主权项】：
暂无信息
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