[发明专利]闪存及其擦除方法、电子系统和计算机存储介质有效
| 申请号： | 202110591334.0 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113327638B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 郑钟倍 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种闪存及其擦除方法、电子系统和计算机存储介质，所述闪存为其每个存储块增设了对应的信息位，以存储用于表明该存储块在掉电之前是否完成擦除，进而在掉电之前就能很容易地通过这些信息位获知闪存中哪个存储块正在执行擦除操作，在闪存下一次上电后，可以通过读取各个存储块对应的信息位上存储的信息，来检查闪存中是否有存储块在掉电之前未完成擦除，以进一步在闪存的这次上电过程中对各个存储块进行重新编程操作，由此可以避免闪存中因按块擦除某个存储块的擦除应力而导致某些存储单元的阈值电压VT下降并造成这些存储单元的数据读取失败的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 及其 擦除 方法 电子 系统 计算机 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110591334.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
