[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110591702.1 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113314468A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 林彦伯;李威养;彭远清;林家彬;郭俊铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及形成半导体装置的方法，形成半导体装置的方法包括：在基板上方沉积虚设半导体层及第一半导体层；在虚设半导体层的侧壁上形成多个间隔物；在基板中形成第一磊晶材料；暴露虚设半导体层及第一磊晶材料，其中暴露虚设半导体层及第一磊晶材料的步骤包括薄化基板的背侧的步骤；蚀刻虚设半导体层以暴露第一半导体层，其中间隔物在蚀刻虚设半导体层同时保留于第一半导体层的末端部分上方且与末端部分接触；使用间隔物作为遮罩来蚀刻第一半导体层的数个部分；及用背侧通孔替换第二磊晶材料及第一磊晶材料，背侧通孔电耦接至第一晶体管的源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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