[发明专利]一种反馈式窄线宽高功率半导体激光芯片及使用方法有效
| 申请号： | 202110593660.5 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113328336B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 李景;王智勇;代京京;兰天 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/06;H01S5/062;H01S5/065;H01S5/10;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 张焕响 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反馈式窄线宽高功率半导体激光芯片及使用方法，包括：集成在单一芯片上的同相超模选择结构、1/2泰伯距离波导、侧向光栅耦合脊形波导阵列、激光放大锥形波导阵列和边模抑制微结构；侧向光栅耦合脊形波导阵列出射的激光经1/2泰伯距离波导入射至同相超模选择结构中；经同相超模选择结构进行模式选择后，激光再反射回侧向光栅耦合脊形波导阵列内；在小电流激励下，复合谐振腔内优先起振同相模式，输出同相超模激光；同相超模激光入射至激光放大锥形波导阵列中进行功率放大，并在边模抑制微结构的作用下，输出窄线宽、高功率、同相超模的激光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反馈 式窄线宽高 功率 半导体 激光 芯片 使用方法 | ||
【主权项】：
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