[发明专利]拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器在审
| 申请号： | 202110594624.0 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113284542A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 侯志鹏;卫智健;王亚栋 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | G11C19/08 | 分类号： | G11C19/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 纪婷婧 |
| 地址： | 511400 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器、读写系统和赛道存储器，一种拓扑磁结构包括：衬底层；缓冲层，设置于衬底层上，缓冲层的表面粗糙度小于衬底层的表面粗糙度；磁性层，设置于缓冲层上，包括至少一层亚铁磁性层，磁性层用于在预设条件下产生磁性斯格明子；保护层，设置于磁性层上，用于保护磁性层。基于亚铁磁材料的器件具有对磁场扰动不敏感和本征频率高等诸多优势，因此在超高密度信息存储和太赫兹(Tera Hertz，THz)等领域有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 拓扑 结构 磁性 明子 写入 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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