[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 202110596804.2 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113224182A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 张海川;袁强;石建华;孟凡英;刘正新;程琼;周华 | 申请(专利权)人: | 中威新能源(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0745;H01L31/18 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 吕露 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请实施例提供一种异质结太阳电池及其制备方法,涉及异质结太阳电池领域。该异质结太阳电池包括硅衬底,硅衬底的正面依次叠加设置有正面钝化层、n型掺杂层、正面TCO层和正面电极,硅衬底的背面依次叠加设置有背面钝化层、p型掺杂层、背面TCO层和背面电极,正面TCO层和/或背面TCO层包括至少两层TCO薄膜,其中部分层数的TCO薄膜为掺杂浓度0‑5wt%的低掺杂TCO薄膜,部分层数的TCO薄膜为掺杂浓度8‑15wt%的高掺杂TCO薄膜。该异质结太阳电池及其制备方法在保证电池成本、效率的同时,有效提升异质结太阳电池的可靠性,减缓异质结太阳电池的老化衰减。 | ||
搜索关键词: | 一种 异质结 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的