[发明专利]光子晶体微腔硅基激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110596902.6 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113328338B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 杨正霞;周旭亮;杨文宇;王梦琦;潘教青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/02;H01S5/065;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光子晶体微腔硅基激光器及其制备方法，激光器包括：硅基衬底；III‑V族亚微米线，啁啾一维光子晶体；其中，III‑V族亚微米线叠加在硅基衬底上，啁啾一维光子晶体制备在III‑V族亚微米线中形成光子晶体微腔。制备方法包括：在硅基衬底上沉积二氧化硅介质层，刻蚀二氧化硅介质层及部分硅基衬底，形成至少一个连通沟槽；在至少一个连通沟槽中外延生长III‑V族亚微米线并抛光，保留其中一个III‑V族亚微米线并刻蚀，制备啁啾一维光子晶体形成光子晶体微腔。本发明引入光子晶体微腔，可实现激光器的小噪声低阈值单模电注入激射特性，推动硅基激光器的微型化。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 晶体 微腔硅基 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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