[发明专利]一种先切SDB FinFET的制造方法在审
| 申请号： | 202110597511.6 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113394109A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种先切SDB FinFET的制造方法，形成沿纵向间隔排列的多个Fin结构，刻蚀Fin结构形成SDB凹槽；沉积介质层填充SDB凹槽；刻蚀露出Fin结构上端和SDB凹槽的上端一部分；在Fin结构上及SDB凹槽上形成沿横向间隔排列的多个伪栅极及伪栅极的侧墙；在SDB凹槽两侧的相邻两个伪栅极之间的Fin结构上分别形成SiP外延结构和SiGe外延结构；去除除了SDB凹槽上的伪栅极之外的其他所述伪栅极形成凹槽；在被去除的伪栅极的凹槽中填充HK金属，形成HK金属栅极。本发明保留SDB的多晶硅，SiP外延层和SiGe外延层压力释放风险被降低；HK金属栅没有填充在SDB凹槽中，因此HKK金属层的压力将不会与外延层压力产生相互作用，器件性能得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sdb finfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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