[发明专利]基于金修饰富含氧空位二氧化锡的DMMP传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110597879.2 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113325041B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 刘森;杨志民;张彤;费腾 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
一种具有气敏响应特性的金修饰富含氧空位二氧化锡纳米材料的电阻型DMMP传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。该传感器为管式结构，由外表面带有两条平行且彼此分立的环状Au电极Al |
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| 搜索关键词： | 基于 修饰 富含 空位 氧化 dmmp 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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