[发明专利]一种鳍式场效应晶体管标准单元结构

摘要

本发明涉及一种鳍式场效应晶体管标准单元结构，涉及半导体集成电路结构，包括多个有效鳍区域，每一有效鳍区域包括多条有效鳍，多条有效鳍同方向排列；至少一个虚拟鳍区域，虚拟鳍区域包括多条虚拟鳍，多条虚拟鳍同方向排列，并虚拟鳍区域将两相邻有效鳍区域隔开；多条多晶硅，多条多晶硅同方向排列，并与有效鳍和虚拟鳍交叉，其中多晶硅与有效鳍的交叉区域形成鳍式场效应晶体管的栅极区域；其中两相邻有效鳍之间的间距为a，两相邻虚拟鳍之间的间距为b，并b小于a，以减小鳍式场效应晶体管标准单元的面积。