[发明专利]场效应管及其制造方法以及场效应管的工作方法在审
| 申请号： | 202110600728.8 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113488538A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 洪宾;王子岳;张帆;刘风光;陈磊;王燕;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院） |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/808;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 张梦媚 |
| 地址： | 230013 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种场效应管及其制造方法以及场效应管的工作方法，该场效应管包括场效应管本体，其中，所述场效应管本体采用二氧化钒材料形成且其中掺杂有氢离子；栅极，所述栅极设于所述场效应管本体的上端面；源极以及漏极，所述源极设于所述场效应管本体的第一侧面，所述漏极设于所述场效应管本体的第二侧面，其中，所述第二侧面与所述第一侧面相对。本发明中的场效应管具有开关比更高、开关速度更快、功耗更低的优势，利于推动半导体器件的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 制造 方法 以及 工作 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院），未经北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110600728.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶体元器件用喷码机
- 下一篇：一种基于充电需求和储能调节的站网互动方法
- 同类专利
- 专利分类
