[发明专利]用于光刻过程的优化的方法在审
| 申请号： | 202110601260.4 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN113253578A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | E·C·摩斯;J·S·威尔登伯格;E·J·M·沃勒伯斯;M·范德斯卡;弗兰克·斯塔尔斯;F·H·A·叶利奇 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：确定整个衬底的性能参数的参数指纹，所述参数指纹包括与所述性能参数的不确定性相关的信息；确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹，过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联；以及确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量。可选地，基于所述概率度量来确定对所述光刻过程的校正。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 过程 优化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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