[发明专利]多栅器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110602005.1 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113394216A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 乔治奥斯·韦理安尼堤斯;布兰丁·迪里耶 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明涉及多栅器件及其形成方法。一种示例性器件包括布置在衬底上方的沟道层、第一外延源极/漏极部件和第二外延源极/漏极部件。该沟道层布置在第一外延源极/漏极部件与第二外延源极/漏极部件之间。金属栅极布置在第一外延源极/漏极部件与第二外延源极/漏极部件之间。该金属栅极布置在沟道层的至少两个侧上方并与其物理接触。源极/漏极接触件布置在第一外延源极/漏极部件上方。掺杂晶体半导体层，例如镓掺杂晶体锗层，布置在第一外延源极/漏极部件与源极/漏极接触件之间。该掺杂晶体半导体层布置在第一外延源极/漏极部件的至少两个侧上方并与其物理接触。在一些实施例中，该掺杂晶体半导体层具有小于约1x10 |
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| 搜索关键词： | 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
