[发明专利]存储器件及其铁电场效应晶体管和读取方法在审
| 申请号： | 202110602234.3 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113380892A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 林孟汉;黄家恩;贾汉中;刘逸青;杨世海;王奕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L27/1159;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种配置为多位存储器件的铁电场效应晶体管(FeFET)，该FeFET包括：半导体衬底，在该半导体衬底中具有源极区，在该半导体衬底中具有漏极区；栅极堆叠件在半导体衬底上，其中源极区和漏极区延伸到栅极堆叠件的相对侧，该栅极堆叠件包括在半导体衬底上方的铁电层，以及在铁电层上方的栅极区。晶体管还包括铁电层的第一端和第二端，其分别对应于源极和漏极区。铁电层包括偶极子。在铁电层的第一端的第一组偶极子具有第一极化。在铁电层的第二端的第二组偶极子具有第二极化，第二极化与第一极化基本上相反。本发明的实施例还涉及存储器件及读取铁电场效应晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 电场 效应 晶体管 读取 方法 | ||
【主权项】：
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