[发明专利]一种镍钴锰三元金属硫化物中空结构材料及其制备和应用有效

专利信息
申请号: 202110602290.7 申请日: 2021-05-31
公开(公告)号: CN113436901B 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 刘启明;康陈霞;杨希国 申请(专利权)人: 多助科技(武汉)有限公司
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 祝蓉蓉
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区大学园路13号*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种镍钴锰三元金属硫化物中空结构材料及其制备和应用,属于超级电容器电极材料领域。本发明以ZIF‑67为模板反应物和钴源,与镍盐和锰盐在水热条件下经离子交换、金属盐水解产生的H+刻蚀作用以及柯肯达尔效应制备得到NiCoMn‑OH中空结构材料;该中空结构材料与硫代乙酰胺通过溶剂热反应而制备得到镍钴锰三元金属硫化物中空结构材料。该方法制备的镍钴锰三元金属硫化物中空结构材料具有非常高的比表面积和比电容,用作超级电容器的电极材料时比电容可达到2098.2F/g。
搜索关键词: 一种 镍钴锰 三元 金属 硫化物 中空 结构 材料 及其 制备 应用
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