[发明专利]一种SiC基片外延制备GaN的方法有效
| 申请号： | 202110608157.2 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113345798B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈启生;许学仁 | 申请（专利权）人： | 中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010000 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明申请提供了一种SiC基片外延制备GaN的方法，具体包括以下步骤：（1）SiC基片的抛光和腐蚀预处理；（2）硅挡板的制备，基于均匀原则制备表面具有与腐蚀坑互补的微孔的第一挡板；将腐蚀坑和微孔叠加后对应制备具有所述完整表面的第二挡板；（3）在第一挡板保护下对SiC基片和过渡层表面刻蚀处理；（4）过渡层的制备，所述过渡层结构为AlN或AlN/GaN或AlN/GaN/AlN中的任一种；（5）在第二挡板保护下对过渡层刻蚀后处理；（6）采用金属有机化学气相沉积法在SiC基片表面制备GaN膜层。本发明的技术方案可以获得具有均匀分布孔洞的SiC基片，实现GaN膜层生长过程中应力的均匀释放，进而获得高质量大直径的GaN膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 外延 制备 gan 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司，未经中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110608157.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
