[发明专利]存储器件及其操作方法在审
申请号: | 202110609624.3 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN113470706A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 马合木提·斯楠吉尔;董庆;林彦廷;凯雷姆·阿卡尔瓦达尔;卡洛斯·H.·迪亚兹;王奕 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/18;G11C8/14;G11C5/14 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了读取或感测由多级单元存储的多位数据的电路和方法。在该方面,从第一组参考电路中选择第一参考电路,从第二组参考电路中选择第二参考电路。至少部分地基于第一参考电路和第二参考电路,可以确定由多级单元存储的多位数据的一个或多个位。根据所确定的一个或多个位,可以选择来自第一组参考电路的第三参考电路和来自第二组参考电路的第四参考电路。至少部分地基于第三参考电路和第四参考电路,可以确定由多级单元存储的多位数据中的另外一个或多个位。本发明的实施例还涉及存储器件及其操作方法。 | ||
搜索关键词: | 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110609624.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种质子交换膜水电解槽结构及阳极极板
- 下一篇:蓄电池外壳以及蓄电池