[发明专利]基于衬底导电孔的GaN基HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110610203.2 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113394281A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘胜北 | 申请（专利权）人： | 上海新微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于衬底导电孔的GaN基HEMT器件及其制备方法，先在衬底中形成深沟槽并填充导电材料层形成导电孔，同时通过在外延层结构中制备源极深孔将源极金属连接至该导电孔，后续在GaN基HEMT器件正面结构制作完成后减薄将导电孔从衬底背面显露出来，避免了后期衬底的背刻蚀，避免了刻蚀对器件的正面结构的损伤，从而有效提高器件的良率，节省生产设备及成本。本发明由于在器件正面结构制备完成后，不再有复杂的深刻蚀、电镀等工艺步骤，可以降低后续工艺对于器件可靠性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 导电 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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