[发明专利]基于预通孔刻蚀的GaN基HEMT器件的制备方法有效
| 申请号： | 202110610216.X | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113394282B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘胜北 | 申请（专利权）人： | 上海新微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于预通孔刻蚀的GaN基HEMT器件的制备方法，该制备方法先在衬底中形成深沟槽并填充牺牲介质层，并在GaN基HEMT器件正面结构制作完成后减薄将深沟槽显露出来，去除牺牲介质层后，只需对外延层结构进行刻蚀就能形成引出源极金属的通孔结构，避免了后期衬底的背刻蚀，避免了刻蚀对器件的正面结构的损伤，从而有效提高器件的良率，节省生产设备及成本。本发明的制备方法可以优化工艺流程，减少背面工艺流程，降低制备工艺对设备兼容性的需求，同时可以有效避免后续深刻蚀工艺引起的器件损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 预通孔 刻蚀 gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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