[发明专利]一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法在审
| 申请号： | 202110610425.4 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113549897A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 罗正汤;刘宏伟 | 申请（专利权）人： | 广州市香港科大霍英东研究院 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C30B28/14;C30B29/38;C30B29/64 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 陶洁雯 |
| 地址： | 511458 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法，涉及二维材料合成领域；包括以下步骤：S1，将金属箔作为生长基底置于支撑材料上，然后将载有金属箔的支撑材料放入化学气相沉积装置的反应区中；S2，将含有氮源和硼源的前驱体置于化学气相沉积装置的上游区，所述上游区位于所述反应区之沿载气流动方向的上游方向；S3，通入载气，加热反应区，直至金属箔呈完全熔融状态，然后加热所述上游区，上游区的温度为75～90℃，进行化学气相沉积反应5～40min，冷却，得到六方氮化硼二维材料。采用熔融金属表面作为二维六方氮化硼的生长基底，具有成核均匀，生长快速等优点；通过控制前驱体的加热温度，在熔融铜表面上获得高质量的形状可控的六方氮化硼晶畴。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形貌 可控 单层 氮化 生长 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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