[发明专利]一种镉掺杂钙钛矿发光二极管及其制备方法

摘要

本申请公开了一种镉掺杂钙钛矿发光二极管及其制备方法，涉及光电器件制备技术领域，其包括：于清洁后的导电衬底上旋涂电子注入层前驱液，形成电子注入层；将卤化铅、卤盐、有机钝化剂、以及镉盐溶解于有机溶剂中，得到镉掺杂的钙钛矿前驱液；将钙钛矿前驱液旋涂在电子注入层上，并于旋涂过程中滴加氯苯反溶剂，经退火形成钙钛矿光发射层；于钙钛矿光发射层上旋涂空穴注入层前驱液，形成空穴注入层后，在空穴注入层上依次真空热蒸镀金属电极修饰层和金属电极，得到镉掺杂钙钛矿发光二极管。本申请，利用镉掺杂有效降低晶粒尺寸，抑制混合卤素相分离的现象，并抑制钙钛矿光发射层表面荧光淬灭，使镉掺杂钙钛矿发光二极管具有更好的光谱稳定性。