[发明专利]基于合金中相反自旋流控制的磁随机存储单元在审
| 申请号： | 202110611143.6 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113363378A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王开友;刘雄华;佐拉.阿贝贝.贝克拉;曹易 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种基于合金中相反自旋流控制的磁随机存储单元，包括：衬底、缓冲层、自旋轨道耦合层和磁隧道结层；自旋轨道耦合层的材料为产生相反自旋流的包含重金属元素的二元或多元合金材料；磁隧道结层形成于自旋轨道耦合层上；磁隧道结层包括磁自由层，所述磁自由层形成于所述自旋轨道耦合层上；在所述自旋轨道耦合层施加脉冲电流，所述自旋轨道耦合层产生相反自旋流，通过所述相反自旋流诱导所述磁隧道结中的所述磁自由层的磁矩发生180°定向翻转。本公开不再使用高密度电流通入隧穿结实现磁自由层磁化翻转的方式，通过自旋轨道耦合层中产生的相反自旋流，由自旋轨道矩诱导磁自由层磁矩发生定向翻转。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 合金 相反 自旋 控制 随机 存储 单元 | ||
【主权项】：
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