[发明专利]一种多芯片并联的半桥型碳化硅功率模块在审
| 申请号： | 202110614331.4 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113488460A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陈材;郭心悦;刘新民;康勇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/367;H01L23/495;H02M7/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 王颖翀 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型碳化硅功率模块，包括：DBC基板，包括电路层，其设有：DC+区、DC‑区、AC区、第一控制区和第二控制区；DC‑区、AC区、DC+区均由左右对称放置并连接的两块铜层构成，DC‑区、AC区、DC+区排布组成矩形区域；第一控制区放置在DC+区下方，第二控制区放置在DC‑区上方；第一功率芯片组作为半桥电路的上桥臂，与电路层DC+区连接；第二功率芯片组作为半桥电路的下桥臂，与电路层AC区连接；第二功率芯片组与第一功率芯片组均包括多个互相并联的第一碳化硅功率芯片和第二碳化硅功率芯片，并串联构成半桥电路。本发明通过合理安排DBC电路层上不同连接区的位置、优化回路布局，实现了模块的低寄生参数以及并联芯片的均流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 并联 半桥型 碳化硅 功率 模块 | ||
【主权项】：
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