[发明专利]一种基于自对准工艺的条形沟槽结构GaN垂直肖特基二极管电学性能改善方法在审
| 申请号： | 202110616562.9 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113380610A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 耿莉;刘江;杨明超;刘卫华;韩传余;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/329;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自对准工艺的条形沟槽结构GaN垂直肖特基二极管电学性能改善方法，采用标准光刻工艺在自支撑衬底GaN的正面制备光刻胶刻蚀掩膜；采用感应耦合等离子体ICP干法刻蚀工艺对自支撑衬底GaN进行对准标记刻蚀实验；采用电子束工艺在自支撑衬底GaN衬底的背面蒸镀Ti/Al/Ni/Au金属层并进行快速退火处理形成欧姆接触；采用光刻和电子束工艺在自支撑衬底GaN衬底正面制备条形金属Ni掩膜；再采用ICP干法刻蚀工艺在条形金属Ni掩膜上进行刻蚀，然后在自支撑衬底GaN正面注入Ar离子；最后在离子注入完的自支撑衬底GaN衬底正面制备Ni/Al复合金属层，形成金属‑绝缘层‑半导体结构GaN肖特基二极管。本发明能够有效减小普通垂直GaN肖特基二极管的反向漏电，提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 对准 工艺 条形 沟槽 结构 gan 垂直 肖特基 二极管 电学 性能 改善 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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