[发明专利]一种辉钼矿电极及其制备方法有效
| 申请号： | 202110616713.0 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113241425B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 崔灿;谢雅典;胡海良;张建辉 | 申请（专利权）人： | 贵州民族大学 |
| 主分类号： | H01M4/1397 | 分类号： | H01M4/1397;H01M4/04;H01M4/136;H01M10/0525;C01G39/06 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 李鹏 |
| 地址： | 550025 贵州省贵阳*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种辉钼矿电极及其制备方法。所述制备方法包括：在惰性氛围下，对高纯度二硫化钼粉体进行高能球磨，并将得到二硫化钼球磨粉压制为柱体，其后将所述柱体在200‑350℃、100‑400Mpa下密封、各向等压地热压1‑6h，得到辉钼矿块体，其后所述块体加工为圆柱形电极。本发明的制备方法工艺简单，可将粉体原料在不经粘结剂作用的情况下，直接加工为高纯度、高致密度、电化学性能优异的辉钼矿电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辉钼矿 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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