[发明专利]芯片结构、芯片组件、成膜方法、纳米孔测序装置及应用有效
| 申请号： | 202110617003.X | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113061531B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 朱睿;任世龙;严勇 | 申请（专利权）人： | 成都齐碳科技有限公司 |
| 主分类号： | C12M1/42 | 分类号： | C12M1/42;C12M1/00;C12Q1/6869 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 610093 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请提出了一种芯片结构、芯片组件、成膜方法、纳米孔测序装置及应用。芯片结构包括基底层、第一功能膜层结构和储油结构；第一功能膜层结构设置于基底层的表面，第一功能膜层结构包括呈阵列分布的多个第一结构单元，相邻的第一结构单元彼此连通；储油结构能够吸附非极性溶剂或限定非极性溶剂能够进入，储油结构和第一功能膜层结构连通。储油结构能够吸附非极性溶剂或限定非极性溶剂能够进入。非极性溶剂从含量高的区域向含量低的区域定向移动，第一功能膜层结构内的非极性溶剂可以定向向第二功能膜层结构流动，薄膜较厚的第一结构单元内的非极性溶剂可以定向向薄膜较薄的第一结构单元流动，进而使得各第一结构单元内的薄膜厚度均一且厚度较薄。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 结构 组件 方法 纳米 孔测序 装置 应用 | ||
【主权项】：
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