[发明专利]芯片结构、成膜方法、纳米孔测序装置及应用有效
| 申请号： | 202110617078.8 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113070113B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 任世龙;张喆;宋璐 | 申请（专利权）人： | 成都齐碳科技有限公司 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00;C12M1/34 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 610093 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种芯片结构、成膜方法、纳米孔测序装置及应用，该芯片结构包括：基底层和排油通道。基底层的第一表面包括第一功能膜层结构，第一功能膜层结构内包括阵列分布的结构单元，相邻的结构单元彼此连通；排油通道的第一端与第一功能膜层结构连通，排油通道限定非极性溶剂能够通过。排油通道对非极性溶剂的通透能力高，对极性溶剂的通透能力低，可以传导和排除多余的非极性溶剂。在大气压条件下，排油通道可使得非极性溶剂与极性溶剂相对分离。非极性溶剂可从含量高的区域向含量低的区域定向移动。第一功能膜层结构的相邻的结构单元彼此连通，结构单元内的非极性溶剂可渗出，并经排油通道排出，因而结构单元的薄膜层厚度均一且厚度较薄。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 结构 方法 纳米 孔测序 装置 应用 | ||
【主权项】：
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