[发明专利]一种ZnSe基底10.3-10.9μm高强减反膜及镀制方法在审

专利信息
申请号: 202110617201.6 申请日: 2021-06-03
公开(公告)号: CN113341487A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 张勇;张涛;郭浩宇;陈俊霞;王苗苗;苏颖;张恒华;张成群;白涛;张金豹;耿浩;张树盛;杨资阳 申请(专利权)人: 河南平原光电有限公司
主分类号: G02B1/115 分类号: G02B1/115;C23C14/06;C23C14/32
代理公司: 焦作市科彤知识产权代理事务所(普通合伙) 41133 代理人: 陈湍南
地址: 454150*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及红外光学镀膜技术领域,提供一种ZnSe基底10.3‑10.9μm高强减反膜,膜系结构为G/100L1010H901L10H933L10H/A;本申请还提供了一种ZnSe基底10.3‑10.9μm高强减反膜的镀制方法,采用APS离子源高能量辅助和基底加热镀膜的方式。本申请的有益效果为:ZnSe基底两面镀制本申请的高强减反射膜后,10.3μm~10.9μm平均透过率达到99%以上;并且满足JB/T 8226.1‑1999光学零件镀膜标准中对抗磨强度、恒定湿热、低温、盐雾环境试验的要求。
搜索关键词: 一种 znse 基底 10.3 10.9 高强 减反膜 方法
【主权项】:
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