[发明专利]一种基于透明薄膜晶体管的光电探测器阵列及其制备方法在审
申请号: | 202110617238.9 | 申请日: | 2021-06-03 |
公开(公告)号: | CN113363278A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 沈亮;王亚茜;周航;向犇;纪永成;魏薇 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: |
一种基于透明薄膜晶体管的光电探测器阵列及其制备方法,属于光电探测器技术领域。所述光电探测器阵列由透明薄膜晶体管阵列以及与其漏端电极相连的光电探测器组成。本发明通过首先制备透明薄膜晶体管阵列,将其作为底板,在其上分别通过溶液法旋涂ZnO电子传输层以及PTB7‑TH:FOIC有源层,将样品盖上阵列掩模版后分别蒸镀MoO |
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搜索关键词: | 一种 基于 透明 薄膜晶体管 光电 探测器 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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