[发明专利]一种伺服系统并联SiC-MoS驱动电路在审

专利信息
申请号: 202110618542.5 申请日: 2021-06-03
公开(公告)号: CN113507201A 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 高炳东;黄建;王永乐;吴真;张紫君;陈硕;宋涛 申请(专利权)人: 北京自动化控制设备研究所
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02H7/20;H02H7/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100074 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种伺服系统并联SiC‑MoS驱动电路,包括控制信号单元、功率电压源、n个SiC‑MoS器件、n个栅极电阻、n个续流二极管和n个熔断器;其中n为并联数量;功率电压由伺服系统提供,产生整个驱动电路所需的额定电流;按照伺服系统工作需求,控制信号单元发出控制信号,经过n个栅极电阻后驱动n个SiC‑MoS器件的栅极G端,控制SiC‑MoS器件的闭合断开;n个SiC‑MoS器件之间为并联关系,构成n个通道;续流二极管与相应通道SiC‑MoS器件为并联关系,将负载反峰能量通过续流二极管这一回路进行泄放;熔断器与相应通道SiC‑MoS器件为串联关系,当相应通道SiC‑MoS器件发生故障直通时,熔断器则熔断,切断该通道,实现故障隔离。该电路可实现伺服系统的高可靠性、高能效等优良特性。
搜索关键词: 一种 伺服系统 并联 sic mos 驱动 电路
【主权项】:
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