[发明专利]存储器器件以及形成存储器器件的方法在审
| 申请号： | 202110619000.X | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113764578A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 谢君毅;徐薇惠;蒋懿;康锴;易万兵;陈元文 | 申请（专利权）人： | 格芯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林莹莹;牛南辉 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种存储器器件以及形成存储器器件的方法。可以提供一种存储器器件，其包括：基底层；被布置在基底层之上的绝缘层，其中，绝缘层可以包括具有相对的侧壁的凹部；沿着凹部的相对的侧壁布置的第一电极；沿着第一电极布置的开关元件；沿着开关元件布置的第二电极；以及被布置在凹部之上的覆盖层，其中覆盖层可以至少部分地与第一电极、开关元件和第二电极重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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