[发明专利]一种全二氧化硅的自旋器件模拟方法有效
| 申请号： | 202110619677.3 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113358576B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 高永潘 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G01N21/17 | 分类号： | G01N21/17;G02B6/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全二氧化硅的自旋器件模拟方法，属于微纳光学领域；具体为：首先，制备光纤或者波导耦合的回音壁耦合结构；通过移动光纤使其位于回音壁腔的倏逝场范围内；然后，打开激光器，激光输入回音壁腔并扫谱，通过发现透射谱的最低点确定工作波长；将输入的激光光场分成两等份在顺时针和逆时针方向分别输入回音壁微腔；使用光电探测探测各个腔顺时针逆时针模式强度；逐渐提高输入激光的功率，两个方向的光场输出会产生分化，该分化对应的就是经典自旋问题的测量结果；本发明使用认为制造的结构来实现自旋的仿真，具有共振频率可调制的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 自旋 器件 模拟 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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