[发明专利]一种基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110619699.X | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113541608A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李雨航;张德海;孟进 | 申请（专利权）人： | 中国科学院国家空间科学中心 |
| 主分类号： | H03D7/16 | 分类号： | H03D7/16;H03B19/14;H01P5/10;H01P5/08 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 陈琳琳;徐淑东 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于太赫兹倍频器技术领域，具体地说，涉及一种基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，该装置包括：上腔体(15)、太赫兹倍频器基板和下腔体(16)；上腔体(15)和下腔体(16)相对放置，太赫兹倍频器基板位于上腔体(15)和下腔体(16)之间，上腔体(15)和下腔体(16)的相对位置处设置主沟道(17)和偏置沟道(18)，将太赫兹倍频器设置在主沟道(17)和偏置沟道(18)内，并用导电胶(12)填满；所述主沟道(17)和偏置沟道(18)之间的倾斜角为65‑85度；通过多个紧固螺钉将上腔体(15)和下腔体(16)，以及设置在其中的太赫兹倍频器基板紧固在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 肖特基 二极管 结构 赫兹 倍频器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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