[发明专利]一种二极管芯片结构及制备方法在审
| 申请号： | 202110619706.6 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113224175A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 贺晓金;袁强;陆超;姚秋原;孟繁新;王博;洪杜桥 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二极管芯片结构及制备方法，该二极管包括N+衬底以及在其顶部依次层叠生长的N缓冲层和N‑外延区；所述N‑外延区的顶部外端镶嵌P+ring区，N‑外延区顶部内的中心区域为P base区，P base区周期性镶嵌有源P+区，P base区顶部制作金属化阳极，P+ring区顶部制作氧化硅，氧化硅顶部钝化硼磷硅玻璃，硼磷硅玻璃被氮化硅覆盖，N+衬底背面为金属化阴极。本发明利用N‑外延区底部的N缓冲层能缓冲空间电荷区扩展，减缓载流子反向抽取速度，使恢复特性得到软化。通过P base区周期性镶嵌有源P+区，能显著降低阳极注入效率，减少反向存储电荷和降低反向恢复时间，结终端为浮空场限环结构，使二极管的耐压能力增强，并降低器件反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 芯片 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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