[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110619997.9 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113488539A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 乔治奥斯·韦理安尼堤斯;吕俊颉;杨世海;马礼修 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括栅极层、低掺杂半导体层、晶体铁电层以及源极端子和漏极端子。晶体铁电层设置在栅极层和低掺杂半导体层之间。源极端子和漏极端子设置在低掺杂半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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