[发明专利]一种基于离子氮化技术在铝基体上原位生成氮化铝层的方法在审
| 申请号： | 202110620677.5 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113416916A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 杨凯军;朱锦鹏;汲思宇;庆宇斌;朱雅萌;李庆奎;何季麟 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C23C8/36 | 分类号： | C23C8/36;C23C8/02 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 付雷杰 |
| 地址： | 450001 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于离子氮化技术在铝基体上原位生成氮化铝层的方法，属于金属表面改性技术领域。先对铝基体表面依次进行打磨、抛光以及清洗预处理，然后在氩气和氢气气氛下以及钛存在的条件下对预处理后的铝基体表面进行离子轰击，再在氮气气氛下对离子轰击后的铝基体表面进行离子氮化，在铝基体表面形成氮化铝层。本发明创新性地提出了一种在离子氮化炉内前期离子轰击和后期离子氮化相结合的方法，有效除去了铝基体表面的氧化膜，并在铝基体表面制备出了厚度较大的氮化铝层，有利于改善铝基体表面的硬度、耐蚀性以及耐磨性等性能，从而使铝基体的应用范围更加广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 氮化 技术 基体 原位 生成 方法 | ||
【主权项】：
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