[发明专利]一种可用于热电制冷材料的P型SnSe晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 202110622513.6 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113270534A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 赵立东;秦炳超 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L35/18 | 分类号： | H01L35/18;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 申星宇 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，提供了一种可用于热电制冷材料的P型SnSe晶体及其制备方法，所述材料为Na掺杂和Pb固溶的SnSe晶体，Sn、Se、Pb和Na的摩尔比为(1‑x‑y):1：y：x；其中，0.015≤x≤0.025，0.05≤y≤0.11。本发明提供的P型SnSe晶体可用于热电制冷材料，室温下，其功率因子PF≥70μWcm‑1K‑2，室温ZT值≥1.2；基于所得SnSe晶体搭建的单臂温差测试平台，可在2A的电流下实现～17.6K的制冷温差。本发明通过改良定向凝固法，利用连续温区缓慢降温生长晶体，得到了较大尺寸的高质量SnSe晶体，且在全温区范围内热电性能优异，在无毒、价格低廉、环境友好、质量轻的新型SnSe晶体材料中实现了较好的热电制冷性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 热电 制冷 材料 snse 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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