[发明专利]一种Ba-Co-V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110622929.8 申请日: 2021-06-04
公开(公告)号: CN113292338B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 李元勋;杨昕;彭睿;陆永成;苏桦 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01B3/12 分类号: H01B3/12;C04B35/495;C04B35/622;C04B35/64
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电子材料技术领域,具体涉及一种Ba‑Co‑V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法,其烧结温度低,且具有高Q*f值和正τf值,可应用于LTCC技术领域。本发明在具有高微波介电性能的Ba3(VO4)2陶瓷基础上,未添加降烧剂通过调整原料配比,首次采用Co2+取代Ba3(VO4)2中的Ba2+,通过不同的取代量,在900℃~950℃低温致密烧结,获得了τf为+14.5ppm/℃~+23.8ppm/℃,Q*f为25318GHz~54,063GHz的Ba‑Co‑V基低介微波介电陶瓷材料;由于未添加助烧剂B2O3,因此避免了后期LTCC领域应用对流延工艺的影响,可作为微波介质陶瓷τf调节材料有效应用于LTCC技术领域。
搜索关键词: 一种 ba co 基低介 低烧 微波 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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